プラズマイオンプロセスとその応用

必要な物理的知識から薄膜生成・半導体への適用技術を網羅!

このような方におすすめ

○半導体や材料の表面加工のプラズマプロセス技術者・生産技術エンジニア
○大学院の学生・教員、研究者
  • 著者電気学会・プラズマイオン高度利用プロセス調査専門委員会 編
  • 定価5,292 (本体4,900 円+税)
  • A5 296頁 2005/10発行
  • ISBN978-4-274-20123-3
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  • 概要
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 プラズマ中に素材を置き表面改質を行うプラズマイオンプロセス法は、半導体への応用技術においてその重要度を増してきている。

 本書では、プラズマイオンプロセス法にかかわるプラズマ技術、イオン運動の物理、プロセスに求められる条件から、機能性薄膜の形成や半導体への応用技術まで幅広く解説する。

https://www.ohmsha.co.jp/book/9784274201233/
第1章 はじめに
第2章 プラズマの基礎
第3章 イオンシースの基礎
第4章 プラズマイオンプロセスにおけるプラズマの条件
第5章 プラズマ源
第6章 プラズマ計測
第7章 モデリング
第8章 機能性薄膜の生成
第9章 半導体への応用
第1章 はじめに

第2章 プラズマの基礎
 2.1 ドライプロセスの道具としてのプラズマの特徴
 2.2 プラズマの定義と基本的な性質
 2.3 プラズマ中の粒子衝突過程
 2.4 プラズマを記述する基礎方程式
 2.5 プラズマ中の輸送
 参考文献

第3章 イオンシースの基礎
 3.1 ボーム基準とプレシース
 3.2 プラズマと基材の境界層
 3.3 マトリクスシースとチャイルド則一次元イオンシース
 3.4 基材に流れる電流とイオン電流
 3.5 イオンシースに対するいろいろな効果
 参考文献

第4章 プラズマイオンプロセスにおけるプラズマの条件
 4.1 3次元形状物とプラズマに要求される条件
 4.2 プラズマイオンプロセスとプラズマ特性の表現
 4.3 イオンシースの過渡的現象
 4.4 イオン注入とスパッタリング
 参考文献

第5章 プラズマ源
 5.1 気体プラズマ源
 5.2 金属プラズマ源
 参考文献

第6章 プラズマ計測
 6.1 プラズマモニタリングとは
 6.2 何を計測するか
 6.3 代表的なプラズマ計測法
 6.4 処理基材およびその周辺部の測定
 参考文献

第7章 モデリング
 7.1 プラズマ表面相互作用
 7.2 PIC/MCCシミュレーション
 7.3 分子動力学シミュレーション
 参考文献

第8章 機能性薄膜の生成
 8.1 PBII&Dによる薄膜生成
 8.2 高エネルギーイオンによる表面改質
 8.3 低エネルギー深部注入
 8.4 金属イオン種による堆積・イオン注入システム
 8.5 DLC膜の生成
 8.6 円筒材への注入・堆積
 8.7 医療への応用
 8.8 滅菌
 参考文献

第9章 半導体への応用
 9.1 背景
 9.2 極浅接合の形成
 9.3 フラットディスプレーパネル
 9.4 SOIの形成
 9.5 水素注入シリコンの光学的特性
 9.6 直流によるPBIIと半導体応用
 参考文献