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実践パワーエレクトロニクス入門 パワー半導体デバイス

これからのエネルギー需要の根幹となるパワーデバイスの粋を記した必携の書
実践パワーエレクトロニクス入門 パワー半導体デバイス

このような方におすすめ

電機メーカをはじめとした企業に属する，パワエレ機器を開発，あるいはユーザとして利活用する必要のある初級〜中級技術者
  • 著者谷内　利明　監修／松本　寿彰　編著／小倉　常雄、小谷　和也、田井　裕通、竹内　宏行　共著
  • 定価3,850 円（本体3,500 円＋税）
  • A5　276頁　2016/06発行
  • ISBN978-4-274-21680-0
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  • 概要
  • 主要目次
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本書は，大学における座学と企業における実学を結ぶ位置づけで，昨今のエネルギー需要の動きから特に重要さを増している電力変換にかかせない半導体デバイスのしくみや原理，最新のデバイスの動向について丁寧に解説する書籍です．
https://www.ohmsha.co.jp/book/9784274216800/

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1章　パワー半導体デバイスの概要
2章　ダイオード
3章　サイリスタ
4章　パワーMOSFET
5章　IGBT
6章　破壊現象と保護
7章　ゲート駆動回路
8章　集積化技術
9章　モジュール形パワーデバイスの実装
10章　圧接形パワーデバイスの実装
11章　信頼性
1章　パワー半導体デバイスの概要
　1･1　特　長
　1･2　発展とそのシステムインパクト
　1･3　基本特性
　1･4　種類と適用回路
　1･5　ワイドバンドギャップ・パワーデバイスへの期待

2章　ダイオード
　2･1　ショットキーバリアダイオード
　2･2　pinダイオード
　2･3　SBDとpinダイオードの比較
　2･4　ダイオード構造の進展

3章　サイリスタ
　3･1　逆阻止形サイリスタ
　3･2　GTO

4章　パワーMOSFET
　4･1　パワーMOSFETの基本特性と動作
　4･2　高耐圧MOSFET構造の進展
　4･3　その他のMOSFET構造の進展

5章　IGBT
　5･1　IGBTの基本特性と動作
　5･2　スイッチング素子の比較
　5･3　IGBT構造の進展

6章　破壊現象と保護
　6･1　破壊現象の概要
　6･2　導通状態における安全動作領域
　6･3　ターンオフスイッチング時における安全動作領域
　6･4　短絡時における安全動作領域
　6･5　アバランシェ耐量
　6･6　保護の必要性
　6･7　過電圧保護
　6･8　過電流保護
　6･9　過熱保護
　6･10　直列接続時の保護

7章　ゲート駆動回路
　7･1　ゲート駆動回路と絶縁
　7･2　並列ゲート駆動とグラウンドループ
　7･3　サイリスタのゲート駆動
　7･4　GTOのゲート駆動回路
　7･5　MOSFETのゲート駆動回路
　7･6　IGBTのゲート駆動回路

8章　集積化技術
　8･1　IPMやIPDに使用される回路と制御ICの要素技術
　8･2　インテリジェントパワーモジュール
　8･3　インテリジェントパワーデバイス
　8･4　ICの分離技術

9章　モジュール形パワーデバイスの実装
　9･1　モジュール形パワーデバイス
　9･2　放熱設計
　9･3　並列接続

10章　圧接形パワーデバイスの実装
　10･1　接触電気抵抗と接触熱抵抗
　10･2　熱設計
　10･3　電気絶縁
　10･4　試験電圧

11章　信頼性
　11･1　パワー半導体デバイスの信頼性
　11･2　パワー半導体デバイスの信頼性試験
　11･3　信頼性試験と信頼度

参考書・引用図書
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