新インターユニバーシティ 電子デバイス

序章　電子デバイスの学び方
1章　半導体の基礎
2章　pn接合
3章　バイポーラトランジスタ
4章　pn接合を用いた複合素子
5章　絶縁体−半導体界面
6章　MOS型電界効果トランジスタ(MOSFET)
7章　MOS型電界効果トランジスタの諸現象と複合素子
8章　ショットキー接合とヘテロ接合
9章　ショットキーゲート電界効果トランジスタと高電子移動度トランジスタ
10章　ヘテロ接合バイポーラトランジスタ
11章　量子効果デバイス
12章　デバイスの集積

序章　電子デバイスの学び方
　1　トランジスタ開発の歴史を振り返ろう
　2　本書の構成
　3　電子デバイスの学び方

1章　半導体の基礎
　1　半導体のエネルギーバンドとは？
　2　正の電荷をもつ粒子：正孔とは？
　3　半導体にキャリアを導入する
　4　キャリア濃度とフェルミ準位について学ぼう
　5　半導体中で電気はどのように流れるのか？
　6　拡散電流とは何か？
　7　少数キャリア連続の式
　まとめ
　演習問題

2章　pn接合
　1　pn接合の構造とエネルギーバンド図，内蔵電位，分布関数を理解しよう
　2　少数キャリアの注入と拡散
　3　pn接合の電流-電圧特性を理解しよう
　4　pn接合の容量を計算してみよう
　5　逆バイアスにおける降伏現象について理解しよう
　6　トンネルダイオードの特性を理解しよう
　まとめ
　演習問題

3章　バイポーラトランジスタ
　1　バイポーラトランジスタの構造と動作原理を学ぼう
　2　電流増幅率は何によって決まるのか
　3　低電流，高電流での電流増幅率低下は何故起こるのか
　4　アーリー効果とパンチスルーについて理解しよう
　5　遮断周波数とスイッチング特性を学ぼう
　まとめ
　演習問題

4章　pn接合を用いた複合素子
　1　pinダイオードと伝導度変調効果
　2　サイリスタの構造と動作原理を理解しよう
　3　絶縁ゲートバイポーラトランジスタ(IGBT)の構造と動作原理を理解しよう
　まとめ
　演習問題

5章　絶縁体−半導体界面
　1　MIS構造と界面準位を理解しよう
　2　理想的なMIS構造の基本特性を理解しよう
　3　実際のMIS構造を理解しよう
　まとめ
　演習問題

6章　MOS型電界効果トランジスタ(MOSFET)
　1　構造と動作原理を理解しよう
　2　電流-電圧特性を理解しよう
　3　エンハンスメント型とデプレション型の違いを理解しよう
　4　nチャネルとpチャネルの違いを理解しよう
　まとめ
　演習問題

7章　MOS型電界効果トランジスタの諸現象と複合素子
　1　MOSFETの諸現象を理解しよう
　2　電荷結合素子を理解しよう
　まとめ
　演習問題

8章　ショットキー接合とヘテロ接合
　1　ショットキー接合について学ぼう
　2　ヘテロ接合を理解しよう
　まとめ
　演習問題

9章　ショットキーゲート電界効果トランジスタと高電子移動度トランジスタ
　1　ショットキーゲート電界効果トランジスタについて学ぼう
　2　接合ゲート電界効果トランジスタについて学ぼう
　3　高電子移動度トランジスタについて学ぼう
　まとめ
　演習問題

10章　ヘテロ接合バイポーラトランジスタ
　1　バイポーラトランジスタを復習しよう
　2　ヘテロ接合バイポーラトランジスタの特徴を理解しよう
　3　電流利得遮断周波数と最大発振周波数を理解しよう
　4　HBTの利点を整理しよう
　まとめ
　演習問題

11章　量子効果デバイス
　1　デバイスサイズの縮小とトンネル効果
　2　実際のMOSFETにおけるトンネル効果
　3　トンネル現象の応用　--フラッシュメモリ
　4　さらに高度なトンネル効果　--共鳴トンネル効果--
　5　もっと電子を閉じ込めると何が起こる？
　まとめ
　演習問題

12章　デバイスの集積
　1　 MOS集積回路の構造と作り方
　2　 相補型論理回路とは？
　3　値を記憶する回路
　まとめ
　演習問題

参考図書
演習問題解答
索引