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OHM大学テキスト 半導体デバイス工学

全国の多くの大学のカリキュラムやシラバスに合った、「半導体工学」の新たな定番テキスト
OHM大学テキスト 半導体デバイス工学

このような方におすすめ

電気・電子・情報通信系学科に所属する大学学部2、3年生
  • 著者大村 泰久　編著
  • 定価2,860 円（本体2,600 円＋税）
  • A5　216頁　2012/09発行
  • ISBN978-4-274-21255-0
  • 定価￥
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  • 概要
  • 主要目次
  • 詳細目次
　電気電子通信系の大学学部向け2単位用のテキストシリーズの一巻。
本書は、電気・電子・通信系学科の専門課目である「半導体工学」「電子デバイス」の教科書です。半導体の基本的な構造、pn接合やバイポーラトランジスタ・MOSFETの構造・原理・特性などにくわえて、太陽電池やフォトダイオード、パワー半導体デバイスなどの各種半導体応用などをわかりやすく解説するものです。全体は1コマの講義の回数に合った15章構成をとっており、各章末とも理解度をチェックする演習問題を配しています。
https://www.ohmsha.co.jp/book/9784274212550/

正誤表やDLデータ等がある場合はこちらに掲載しています

1章　半導体結晶とエネルギー帯構造
2章　半導体のキャリヤと電気伝導
3章　pn接合の電流-電圧特性と接合容量
4章　金属と半導体の接合
5章　バイポーラトランジスタの動作原理
6章　金属-絶縁体-半導体（MIS）構造
7章　MOSFETの動作原理
8章　MOSFETの微細化の歴史と集積回路の発展
9章　化合物半導体デバイス
10章　薄膜トランジスタ
11章　半導体の光学特性
12章　受光デバイス
13章　発光デバイス
14章　電力制御半導体デバイス
15章　これからの半導体デバイス
1章　半導体結晶とエネルギー帯構造
2章　半導体のキャリヤと電気伝導
3章　pn接合の電流-電圧特性と接合容量
4章　金属と半導体の接合
5章　バイポーラトランジスタの動作原理
6章　金属-絶縁体-半導体（MIS）構造
7章　MOSFETの動作原理
8章　MOSFETの微細化の歴史と集積回路の発展
9章　化合物半導体デバイス
10章　薄膜トランジスタ
11章　半導体の光学特性
12章　受光デバイス
13章　発光デバイス
14章　電力制御半導体デバイス
15章　これからの半導体デバイス