テキス卜ブック 電子デバイス物性

1章　電子物性の基礎
　1-1　序論
　1-2　黒体放射とエネルギー量子
　1-3　光電効果と光量子
　1-4　コンプトン効果
　1-5　ド-ブロイ波
　1-6　原子スペクトル
　1-7　ボーアの原子モデル
　演習問題

2章　原子の構造
　2-1　シュレーディンガーの波動方程式
　2-2　エネルギー障壁
　(1)　1次元の箱に閉じ込められた粒子
　(2)　ステップ障壁に衝突する粒子
　(3)　トンネル効果を起こす粒子
　2-3　水素原子
　(1)　量子数
　(2)　水素原子の波動関数
　2-4　電子スピン
　(1)　磁気モーメント
　(2)　電子のスピン磁気量子数
　2-5　パウリの排他原理と電子配置
　2-6　レーザ発振の原理
　(1)　3準位レーザと4準位レーザ
　(2)　エキシマレーザ
　演習問題

3章　固体内電子の性質
　3-1　結晶構造
　3-2　結晶の構成
　(1)　イオン結晶
　(2)　共有結合
　(3)　金属結合
　3-3　電気伝導
　3-4　エネルギーバンド
　(1)　エネルギーバンドの形成
　(2)　価電子帯-伝導帯-エネルギーギャップ
　(3)　結晶内の電子の運動
　3-5　金属の自由電子モデル
　(1)　状態密度
　(2)　フェルミ-ディラック分布関数
　3-6　超伝導
　(1)　マイスナー効果
　(2)　超伝導の形成
　(3)　ジョセフソン効果
　演習問題

4章　半導体の物性
　4-1　序論
　4-2　半導体の種類
　(1)　真性半導体
　(2)　不純物半導体
　4-3　半導体中のキャリア濃度
　(1)　フェルミ準位
　(2)　電子とホールの有効質量
　(3)　電子とホールの濃度
　(4)　キャリア濃度の温度依存性
　4-4　半導体の電気伝導
　(1)　ドリフト電流
　(2)　拡散電流
　(3)　ホール効果
　4-5　光伝導とルミネセンス
　4-6　アモルファス半導体
　演習問題

5章　ダイオードとトランジスタ
　5-1　ショットキーバリアダイオード
　(1)　金属とN形半導体の接触によるSBD
　(2)　金属とP形半導体の接触によるSBD
　(3)　各種のSBD
　5-2　PN接合ダイオード
　(1)　PN接合のエネルギーバンド構造
　(2)　PN接合ダイオードの電流機構
　5-3　バイポーラトランジスタ
　(1)　トランジスタの動作原理
　(2)　ベース接地回路
　(3)　エミッタ接地回路
　(4)　コレクタ接地回路
　(5)　トランジスタの周波数特性
　(6)　トランジスタの等価回路
　5-4　電界効果トランジスタ
　(1)　接合形FET
　(2)　ショットキーバリア形FET
　(3)　絶縁ゲート形FET
　(4)　MOS FETの構造と動作
　(5)　FETの等価回路
　演習問題

6章　集積回路と3次元デバイス
　6-1　LSIの基本素子の形成
　(1)　バイポーラICの構造
　(2)　MOS ICの構造
　(3)　CMOS ICの構造
　(4)　モノリシックIC用ダイオードの構造
　6-2　基本素子への容量-抵抗の組込み
　(1)　IC内コンデンサの構造
　(2)　IC内抵抗の構造
　6-3　リニアICとディジタルIC
　(1)　リニアICの構成
　(2)　ディジタルICの構成
　(3)　メモリICの構成
　6-4　電荷転送デバイスの動作
　6-5　3次元デバイスの基礎
　演習問題

7章　半導体素子と物性
　7-1　各種のダイオード
　(1)　定電圧ダイオード
　(2)　可変容量ダイオード
　(3)　トンネルダイオード
　(4)　インパットダイオード
　(5)　ガンダイオード
　7-2　各種のトランジスタ
　(1)　ドリフト形トランジスタ
　(2)　メサ形トランジスタ
　(3)　プレーナ形トランジスタ
　(4)　絶縁ゲート形FET
　7-3　電力用半導体素子
　(1)　パワートランジスタ
　(2)　サイリスタ
　(3)　トリガ素子
　7-4　超格子デバイス
　(1)　変調ドープ形超格子の動作原理
　(2)　HEM T
　演習問題

8章　電子デバイスと応用
　8-1　光電変換デバイス
　(1)　フォトダイオード
　(2)　アバランシェフォトダイオード
　(3)　フォトトランジスタ
　(4)　太陽電池
　8-2　発光-表示デバイス
　(1)　発光ダイオード
　(2)　半導体レーザ
　(3)　電界発光セル
　(4)　液晶
　8-3　熱電変換デバイス
　(1)　熱電変換素子
　(2)　感熱抵抗素子
　8-4　磁電変換デバイス
　(1)　ホール素子
　(2)　磁気抵抗素子
　(3)　磁気ダイオード
　8-5　超伝導デバイス
　(1)　SQUID
　(2)　ジョセフソンスイッチ
　演習問題

参考文献
演習問題　略解
付録(センサ概説)
付表
索引